快科技2月9日消息，三星电子将于本月下旬，也就是农历新年假期（今年2月17日为农历初一）之后，正式向NVIDIA批量交付HBM4高带宽存储芯片，标志着全球范围内HBM4芯片首次实现大规模量产与出货。

业内消息显示，三星电子已顺利通过NVIDIA HBM4芯片的全部认证流程，交付时间精准匹配NVIDIA新一代人工智能加速器的发布计划，其中就包括Vera Rubin平台。

据悉，NVIDIA计划在3月16日至19日举办的GTC 2026大会上，首次公开展示搭载三星HBM4芯片的Vera Rubin人工智能计算平台。

NVIDIA CEO黄仁勋在上月的CES 2026展会上就曾透露，Vera Rubin平台已全面进入生产阶段。这也让市场对该平台2026年下半年的正式推出充满期待，而三星HBM4的及时交付，将为其顺利落地筑牢关键基础。

据悉，此次三星量产的HBM4芯片，性能大幅超越行业现行标准。工艺方面，DRAM单元芯片使用1c工艺（即第六代10nm级DRAM技术），基板芯片则采用4nm代工厂工艺，这一组合直接推动HBM4芯片性能实现跨越式提升。

具体来看，三星HBM4的数据处理速度可达11.7Gbps，比行业标准机构JEDEC设定的8Gbps高出约37%，也较上一代HBM3E的9.6Gbps提升22%；单堆栈存储带宽达3TB/s，是上一代产品的2.4倍。

该芯片采用12层堆叠技术时可提供36GB容量，未来升级至16层堆叠后，容量还能进一步拓展至48GB。

简单来说，HBM（高带宽存储）是专为AI加速器、高性能计算设备设计的高端存储芯片，核心作用是破解算力提升带来的内存带宽瓶颈，也是AI大模型训练、自动驾驶等前沿领域的核心器件。

当前全球AI算力需求持续爆发，HBM市场需求也随之快速增长。此次HBM4芯片大规模量产，不仅能推动全球存储技术迭代升级，更能为下一代AI计算平台的性能突破提供有力支撑。